中国最新光刻机,中国制造航母导弹卫星华为基站

1、中国最新光刻机，中国制造航母导弹卫星华为基站？

"光刻机"是具有高精尖顶端价值技术的核心战略制品。

正是由于它的″神秘，"所以欧美那些占据其技术垄断领先地位的国家，在国际关系上常常摆出一副趾高气昂的架势，在需要推动产品外贸时"哄抬物价"。把它当作压制战略对手的″牌"来打！

本来中国与荷兰就光刻机的技术展开合作是很值得期待的，中途因为美国人的从中作梗，使这个大有发展前景合作项目受到人为因素破坏干扰！其实，不只一个″光刻机"项目受到美国人处心积虑″盯梢"，

近年未，随着中美两国全球竞争布局加快，美国特郎普政府从打压"中国制造"开始，掀起了全方位对中国的制裁与围剿所谓"新冷战"，就是不情愿看到中国欣欣向荣进步崛起，腐朽的保护维持它那百年霸权"一亩三分地"！

从最初干扰中国与地区国家正常技术经贸交流合作，搅黄一次次国家间生意往来，

到如今实质性公开介入，对中国自主知识产权国家高端制造业野蛮制裁！美国为遏制中国现代化发展可谓″登峰造极"！其实，自打新中国成立，美国政治上从未把中国视为平等合作伙伴，过去用一场场"热战"妄想扼杀新中国于摇蓝，而今，面对日渐强大发展起来中国，再难用"热战"恫吓，改为满世界抹黑损毁中国积极进取锐意革新形象，容不得中国″赶英超美"！

我们过去在十分艰困国内外斗争背景下，搞出了让中国人挺胸抬头的，战略武器及掌握具有在当时颇为先进科技实力，

如今又能独立造出载人航天飞机，驰骋海洋的国产航母，甚至

新近发射通往火星的″天问一号"探测器，那么，诸如航空发动机、光刻机之类"硬骨头"又何足挂齿！在美国的″围追堵截"的倒逼压力下，我们什么人间奇迹都能创造，都敢创造！只怕有一天，美国自以为荣的那些″老古董"，因难以适应更为激烈的技术升级竞争而悄然淘汰！(图片源于网络搜索)

2、一台光刻机需要哪些技术？

感谢您的阅读！

你认为光刻机需要哪些技术？

我们先来说一下光刻机它所需要的零部件，用ASML的首席执行官Peter Wennink的话来说，光刻机包括有80000个零件，其中许多零件非常复杂，这对于我们来说确实比较难以接受，但这是事实。

为什么我国在光刻机领域目前发展受到一定的牵制？一方面是因为光刻机本身的零部件相对复杂，对于很多零部件来说都是国际社会中，多个领域共同涉及的，我们想要进口这些光刻机零部件，可能会受到多方面的阻挠。另外一方面，因为西方国家的瓦纳森协议，实际上是阻止了我国技术的进步。

所以，我们目前为止在光刻机领域确实发展相对缓慢，上海微电子目前所推出的是90纳米光科技，其实在2021年可以推出28纳米工艺的光刻机，也需要一定的时间。而且我们也非常清楚它和ASML的差距还是占据着不小的差距。

我们光刻机技术到底缺席哪些东西？你可以看到光刻机的构造中有非常多的内容，他不仅仅包括光源系统还包括，环境控制系统，掩膜传输系统，工作台系统等等。

我们想到的是，可不可以通过使用碳基材料来解决芯片的问题呢？一方面我国的碳基材料的研究比较深入，并且能够很容易解决芯片方面的问题；另一方面，碳基材料对光刻机没有太大的依赖，甚至不用光刻机也可以。所以，我们猜测是不是可以不使用光刻机也能够解决芯片的问题。

不过，我还是认为到底这些弯道超车到底能不能成功？还需要更长时间的检测才可以。

3、中芯国际为何能搞定14nm？

目前我国所需要的芯片主要依赖进口。

据相关数据显示，去年我国进口芯片的规模突破了四千亿美元，将第二名的进口石油远远地抛在了身后。

我国作为世界最大的消费市场，中国企业为什么没有自给自足，反而将企业命运主动交给他国企业呢？

原因有两个。

首先，先在过去的几十年里世界各国全力推动全球化，各个企业专注一两个领域，其他零部件从其他企业购买。因此，国内很多企业搭上全球化快车，成为了世界上数一数二的企业。如联想就是依靠进口各种零件，成为了世界上最大的PC组装厂商。但是全球化的坏处慢慢显现出来，也就是部分企业过度依赖全球化，放弃了对高科技领域的投入。

其次，自从2018年开始美国就不断打压中兴、华为、大疆等我国真正的高新技术企业，对他们的发展造成极大影响。但美国并不满足于此，今年开始全力打压我国半导体产业。今年4月份美国牵头成立了芯片四方联盟，出台了对我们14纳米及以下制程工艺芯片的出口限制方案，停止对我国先进光刻机的出口，试图将我们排除在世界半导体高端产业链之外。

9月14日上海政府正式对外宣布，14nm纯国产芯片已经实现了大规模量产，90nm光刻机、5mn蚀刻机、国产CPU以及5G芯片等，都实现了重大突破。上海集成电路产业规模达到两千五百亿元，约占全国总量25%，汇集了全国40%的集成电路人才。

14纳米以上的集成电路，占整个集成电路销售额的90%。也就是说集成电路的90%的品种上中国已经可以自己制造。比如，汽车芯片，工业自动化的芯片不管是逻辑片片还是存储芯片、手机上用的感光芯片，汽车上最重要的IGBT功率半导体芯片，14mn都可以制造。我们注意到，公布的还是突破了90mn光刻机，并没提到28nm。据说28nm光刻机已经在一定范围试用了，目前还是发现问题，发现技术缺陷，然后加以改进。

ASML光刻机整体分为两类，一类是EUV光刻机，我国无法购买；一类是DUV光刻机，我国可以购买，而且是重要购买国。

DUV光刻机根据波长不同，可分为KRF、ARF和ARFi三种，其中ARFi光刻机，芯片制造商通过对镜片、光源等进行改进，进行多次曝光之后，可生产28nm、14nm甚至7nm的芯片。之前台湾的台积电生产7nm的芯片就是如此。

而这次上海实现14nm芯片的量产，使用的就是ASML的ARFi光刻机，而非国产光刻机。但仍然意义重大，就是我国企业工艺的不断提升的结果。

目前中芯国际相继推出了了N+1、N+2工艺，可用于生产10nm芯片，甚至生产出接近7nm的芯片，但是因为成功率、成本等原因，无法大规模量产。想真正跨入7nm，还得使用EUV光刻机。

这次上海宣布的国产光刻机只是90nm，经过多次曝光之后最高可以用于生产65nm的芯片，这类芯片可以满足市场大部分产品的需求，因为大部分产品的芯片制程都低于90nm。

大规模量产，代表了可以商用，且自给自足。通过我国企业的一步步进步，我相信，总有一天，我们有自己的世界上最先进的光刻机。

4、中国3nm光刻机真的假的？

中国3nm光刻机是假消息。

目前中国光刻机量产型为上海微电子的90nmduv浸润式光刻机，该公司28nmduv浸润式光刻机已经设计定型并处于实验状态，预计年内能达到量产状态。该机型通过n+1技术使芯片制程达到10nm精度。但要知道euv才是高端光刻机，duv只是中低端机型。euv光源为13.5nm的极紫外光，duv光源为193nm的深紫外光，两者有质的区别。

5、光刻机和空间站哪个技术含量高？

光刻机比空间站技术含量要高。

空间站是技术含量非常高的空间平台，也是人类技术结晶，目前有国际空间站和中国空间站两个，国际空间站算是众筹的，我国的自主研发的，这种技术通常是国家行为，因为耗资巨大产出不高，企业做会亏钱，但总归来说还是有几个国家有能力，比如中美俄欧。而光刻机尤其是高端光刻机目前还没有哪个国家能够独立制造，全球唯一的荷兰阿斯麦尔euv光刻机的主要零部件来自十几个国家。所以说光刻机的技术含量比空间站要高一些。